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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管-CN201410030048.7有效
发明人：王明湘;王槐生;张冬利 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、半导体沟道区、栅绝缘层、源区、漏区、源极、漏极及栅极，所述薄膜晶体管还包括用于向半导体沟道区提供空穴或电子的载流子注入结构。本发明涉及的薄膜晶体管可以显著降低动态热载流子效应造成的器件退化和阈值电压漂移，提高薄膜晶体管器件和电路的可靠性，并简化了阈值电压补偿电路设计的复杂性，另外，本发明的薄膜晶体管工艺难度低并且对器件正常工作无影响
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN200980124705.1有效
发明人：伊佐敏行;神保安弘;手塚祐朗;大力浩二;宫入秀和;山崎舜平;广桥拓也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。
薄膜晶体管

[实用新型]薄膜晶体管-CN201120248434.5有效
发明人：覃事建;贺成明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种薄膜晶体管，通过在薄膜晶体管的数据线表面设置通孔，使薄膜晶体管的源极电极或者漏极电极在形成过程中直接同数据线电学连接，节省了工艺成本。进一步地，薄膜晶体管的源极电极和漏极电极也采用多晶硅材料制备，而非现有技术中的金属材料，简化了工艺步骤，从而进一步节省了工艺成本。
薄膜晶体管

[实用新型]薄膜晶体管-CN201620932335.1有效
发明人：蔡世星;郭瑞 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管，解决了现有技术中薄膜晶体管可靠性差的问题。该薄膜晶体管的沟道区包括第一沟道层和设置在所述第一沟道层上方的第二沟道层；其中，所述第二沟道层的厚度小于所述第一沟道层的厚度。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN202180043421.0在审
发明人：酒井敏彦;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在作为沟道层而使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，以低成本提供具有高可靠性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，是在基板上依序层叠有栅电极、栅极绝缘层、包含氧化物半导体的沟道层、以及保护所述沟道层的表面的沟道保护层的底部栅极型的薄膜晶体管，其中所述沟道保护层包括含有氟的氧化硅膜，所述含有氟的氧化硅膜中
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201410142538.6有效
发明人：姜一俊;曹煐美 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括在基板上布置的栅电极；在所述基板上布置的栅绝缘层；在所述基板上布置的半导体层，所述栅绝缘层被配置为使所述半导体层和所述栅电极彼此绝缘；在所述基板上布置的源电极；以及在所述基板上布置的漏电极在薄膜晶体管的Zn‑Sn‑O半导体层中Ag和/或Au的使用可以提高该薄膜晶体管的电子迁移率。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210573729.9在审
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括栅极、沟道层、位于栅极和沟道层之间的栅绝缘层以及位于沟道层相对的两侧并分别与沟道层相接触的源极和漏极，该沟道层的至少一侧表面上形成有有机阻气层。该种薄膜晶体管的有机阻气层能够保护沟道层不受外部环境的影响同时也不影响薄膜晶体管的电学性能。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210335082.6有效
发明人：蓝纬洲;辛哲宏;王裕霖;叶佳俊 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，适于配置在基板上，且此薄膜晶体管包括闸极、有机闸绝缘层、金属氧化物半导体层、源极与汲极。闸极配置于基板上。有机闸绝缘层配置于基板上以覆盖闸极。由于此薄膜晶体管无须以高温制成，因而具有广泛的应用性。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201711457804.4在审
发明人：安喜锋 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板表面的遮光层、设置在所述衬底基板和所述遮光层上方的缓冲层、设置在所述缓冲层表面的多晶硅层；其中，所述多晶硅层由晶块组成，相邻的所述晶块之间存在凸起的晶界本发明提供了一种薄膜晶体管，在多晶硅层跨过遮光层时，通过设置所述多晶硅层的晶界与所述遮光层边界异面，避免晶块之间出现较大沟道进而导致薄膜晶体管器件电阻过大，从而提高了薄膜晶体管的导电性能。
多晶硅层遮光层薄膜晶体管晶界衬底基板晶块薄膜晶体管器件缓冲层表面导电性能异面直线缓冲层电阻沟道凸起异面跨过垂直

[发明专利]薄膜晶体管-CN202080046208.0在审
发明人：李栽玩;金容玹;朴昶均;李东奂 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，尤其涉及使用金属氧化物薄膜作为主动层的薄膜晶体管；薄膜晶体管包含栅极绝缘膜以及形成于源极及漏极电极之间的主动层，其中主动层包含：第一金属氧化物薄膜、第二金属氧化物薄膜及第三金属氧化物薄膜；第二金属氧化物薄膜被提供于第一金属氧化物薄膜与栅极绝缘膜之间，并且相较于第一金属氧化物薄膜具有较低的导电率；第三金属氧化物薄膜被提供于第一金属氧化物薄膜与源极及漏极电极之间，并且相较于第一金属氧化物薄膜具有较低的导电率
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201010226031.0有效
发明人：许宰硕;徐知延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管用于增大沟道区域的电导率并抑制背沟道区域的漏电流，以及包括所述薄膜晶体管的显示装置。根据一个实施方式，所述薄膜晶体管包括布置在基板上的栅极；在基板上相互隔开的源极和漏极；使栅极与源极和漏极绝缘的栅极绝缘膜；和通过栅极绝缘膜与栅极绝缘的半导体层，所述半导体层包括沟道区域和背沟道区域，所述半导体层由
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201010620963.3有效
发明人：宫入秀和;笹川慎也;仓田求 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明名称为“薄膜晶体管”。提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括覆盖栅电极的栅绝缘层、与栅绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源区和漏区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN200680033915.6有效
发明人：松木园广志;宫本忠芳 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种能够进行低阈值动作并且具有高晶体管耐压的薄膜晶体管及其制造方法、以及使用该薄膜晶体管而得到的半导体装置、有源矩阵基板和显示装置。本发明的薄膜晶体管，通过在基板上依次叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅电极而成，上述半导体层的截面具有顺圆锥形状，上述半导体层的上方和侧方被栅极绝缘膜覆盖，上述栅极绝缘膜具有在半导体层侧设置有氧化硅膜、在栅电极侧设置有由介电常数比氧化硅高的材料构成的膜的叠层结构
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN200710180203.3有效
发明人： Y·李;B·S·翁 -专利权人：施乐公司
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括基材、介电层和半导体层。半导体层为c轴垂直于介电层或基材平面优选取向的结晶氧化锌，其通过液体沉积氧化锌纳米盘组合物制备。该薄膜晶体管具有良好的迁移率和通/断比。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201210573688.3无效
发明人：曾坚信 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括栅极、沟道层、位于栅极和沟道层之间的栅绝缘层以及位于沟道层相对的两侧并分别与沟道层相接触的源极和漏极，该沟道层和栅绝缘层之间夹设有一第一原子捕获层。该种薄膜晶体管不易受外界环境影响且具有稳定电学性能。
薄膜晶体管

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